主要工藝模塊包括：180nm精度DUV光刻、220nm/150nm/70nm高精度刻蝕工藝、 增強型Poly-Si光柵工藝、鍺材料外延工藝、高速調制器和鍺探測器的摻雜工藝、介質材料生長工藝、TiN加熱器電極工藝、 鎢填充孔工藝、硅和鍺的歐姆接觸及金屬互連工藝等。
平臺已成功開發了一系列硅光核心器件并發布PDK器件庫，標準單元庫主要包括：條形波導、脊形波導、MMI、Y-分支、光交叉器、8通道200G/400G AWG、 光柵耦合器、端面耦合器、微環和PBS等無源器件，以及40Gbps鍺探測器和30Gbps調制器等有源器件。
