基于硅基底或SOI基底進行流片和工藝開發，提供定制化流片服務
主要工藝模塊包括：180nm精度DUV光刻、 500nm精度i-line光刻、低損氮化硅芯層沉積、4μm-8μm包層、TiN加熱器以及金屬互連等工藝。
基于硅基底，平臺已形成核心PDK器件庫。主要包括：200nm和400nm厚度低損條形氮化硅波導、彎曲波導、MMI、波導交叉、DC 、Y分支以及微環等無源器件。
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