基于3μm頂硅的SOI襯底進行流片和工藝開發,提供定制化流片服務
主要工藝模塊包括:180nm精度DUV光刻、 500nm精度i-line光刻、1.2μm/1.6μm/3μm高精度刻蝕工藝、 鍺/鍺硅材料外延工藝、注入摻雜工藝、介質材料生長工藝、鎢填充孔工藝、硅和鍺的歐姆接觸及金屬互連工藝等。
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